في خطوة استراتيجية من شأنها أن تعيد تشكيل ملامح صناعة أشباه الموصلات، أعلنت سامسونج للإلكترونيات وASML عن توسيع تعاونهما طويل الأمد. تهدف هذه الشراكة المتعمقة إلى تسريع وتيرة الابتكار في تقنيات الطباعة الحجرية High NA EUV وتصنيع أشباه الموصلات المتطورة، لتمهيد الطريق أمام عصر الذكاء الاصطناعي ومستقبله الواعد.
تعميق الشراكة لدفع الابتكار في أشباه الموصلات
بناءً على تاريخ حافل من التعاون المثمر، ستعمل الشركتان معًا لتعزيز وتطبيق التقنيات التي تلبي المتطلبات المتزايدة للأداء والكفاءة في عمليات تصنيع أشباه الموصلات المعقدة. هذا التعاون لا يمثل مجرد استمرارية لشراكة سابقة، بل هو قفزة نوعية نحو آفاق جديدة في الصناعة.
ثورة الأقنعة الضوئية مقاس 12 بوصة
تستعد سامسونج للانضمام إلى مبادرة صناعية رائدة لتطوير الجيل القادم من تقنية الأقنعة الضوئية مقاس 12 بوصة، والتي تعد بتحول جذري في التصنيع المستقبلي. لطالما اعتمدت صناعة أشباه الموصلات لعقود على الأقنعة الضوئية مقاس 6 بوصات. ومع ظهور تقنية High NA EUV، من المتوقع أن يؤدي الانتقال إلى أحجام أكبر من الأقنعة (12 بوصة) إلى زيادة كبيرة في إنتاجية التصنيع، وخفض تكاليف إنتاج الرقائق، وإزالة قيود الربط (stitching limits). سيمكن هذا التطور مصنعي الرقائق المتقدمة من الاستفادة الكاملة من مزايا High NA EUV، مما يجعل الأجيال القادمة من الرقائق الرائدة أكثر فعالية من حيث التكلفة.
تتمتع سامسونج بوضع فريد لقيادة هذا الانتقال نحو الأقنعة الضوئية مقاس 12 بوصة، بفضل ريادتها في تصنيع كل من الذاكرة والمسابك، وخبرتها الواسعة في الطباعة الحجرية المتقدمة بالأشعة فوق البنفسجية. وستعمل الشركة بشكل وثيق مع الشركاء في الصناعة لتطوير التقنيات اللازمة للأقنعة والبنية التحتية الداعمة لها.
توسيع آفاق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بتقنية EUV
تخطط سامسونج لدمج تقنية الطباعة الحجرية EUV فائقة الدقة من ASML في عمليات التصنيع ذات الحجم الكبير لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بحلول عام 2028، في خطوة هي الأولى من نوعها في الصناعة. يؤكد هذا التوجه جاهزية تقنية High NA لدعم تطبيقات الذاكرة والمنطق المتقدمة. من المتوقع أن تساهم تقنية High NA EUV في توسيع خارطة طريق توسيع نطاق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، مع دقة محسنة تتيح تبسيط العمليات وزيادة الكفاءة بشكل ملحوظ.
التزام مشترك بالابتكار والريادة التكنولوجية
يعكس هذا الإعلان التزامًا عميقًا ومشتركًا بالابتكار والريادة التكنولوجية والشراكة طويلة الأمد بين الشركتين. وتتطلع سامسونج وASML إلى استكشاف المزيد من فرص التعاون في مجالات حيوية مثل الذاكرة المتقدمة وأساليب التصنيع المبتكرة التي ستشكل مستقبل الصناعة.
صرح يونغ هيون جون، نائب رئيس مجلس الإدارة والرئيس التنفيذي لشركة Samsung Electronics، بأن عصر الذكاء الاصطناعي يحول صناعة أشباه الموصلات ويزيد من أهمية الابتكار التكنولوجي عبر سلسلة القيمة بأكملها. وأكد التزام سامسونج بالحفاظ على ريادتها في تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة، بما في ذلك الذاكرة والمسابك، من خلال التقنيات المتطورة والشراكات القوية، مشددًا على أن تعزيز التعاون مع ASML يضع الأسس للجيل القادم من الذكاء الاصطناعي وابتكارات أشباه الموصلات.
من جانبه، ذكر كريستوف فوكيه، الرئيس والمدير التنفيذي لشركة ASML، أن سامسونج كانت شريكًا محوريًا في الابتكار لسنوات عديدة، وقد ساعدت الشركتان معًا في تطوير التقنيات التي تدعم تصنيع أشباه الموصلات الحديثة. وأضاف أنه مع دخول الصناعة عصرًا جديدًا مدفوعًا بالذكاء الاصطناعي، يصبح التعاون الوثيق مع العملاء أكثر أهمية، معربًا عن تطلعه للعمل مع سامسونج لتمكين الموجة التالية من ابتكارات أشباه الموصلات.
تجسد هذه الشراكة الاستراتيجية بين عملاقي التكنولوجيا سامسونج وASML رؤية مشتركة لمستقبل يعتمد على أشباه الموصلات الأكثر قوة وكفاءة. ومن خلال دفع حدود تقنيات EUV المتقدمة وتطوير معايير جديدة في التصنيع، تمهد الشركتان الطريق لابتكارات غير مسبوقة ستدعم التطور المتسارع للذكاء الاصطناعي والعديد من المجالات التكنولوجية الأخرى.