تعد شركة سامسونج للإلكترونيات، الرائدة عالمياً في تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، اليوم عن أحدث ابتكاراتها في ذاكرة الذكاء الاصطناعي خلال فعاليات معرض ومؤتمر مستقبل الذاكرة والتخزين (FMS) 2026 في سانتا كلارا، كاليفورنيا.
بفضل خبرتها الواسعة التي تشمل DRAM وNAND وتخزين المؤسسات وتقنيات أشباه الموصلات المتقدمة ذات الصلة، قدمت سامسونج أحدث حافظتها من ذاكرات الذكاء الاصطناعي وخارطة طريقها التكنولوجية. وشمل ذلك معاينة لنماذجها المفاهيمية zHBM وzNAND-O، والإطلاق الأول في الصناعة لتقنية V10 BV-NAND ذات الطبقات التي تزيد عن 400 طبقة، ومجموعة شاملة من الحلول المصممة لتطوير البنية التحتية للذكاء الاصطناعي المستقبلية. كما تعرض سامسونج جناحها المستوحى من خوادم الذكاء الاصطناعي السحابية في FMS 2026، حيث يتم عرض حوالي 30 تقنية للذاكرة والتخزين.
في الحدث الافتتاحي الرئيسي، ألقى المسؤولون التنفيذيون في قطاع الذاكرة لدى سامسونج، جين يوب لي، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس منتجات وتقنيات الفلاش، وكينغريون كيم، نائب الرئيس وقائد مشروع فريق تصميم DRAM، خطاباً حول الهياكل ثلاثية الأبعاد من الجيل التالي في حلول الذاكرة المستقبلية.
تحت عنوان قيادة موجة ثورة الذكاء الاصطناعي: ابتكارات ثلاثية الأبعاد في بنية الذاكرة والتخزين، قدمت الكلمة الرئيسية رؤية سامسونج لزيادة أداء أنظمة الذكاء الاصطناعي وكفاءة الطاقة إلى أقصى حد، مع تلبية المتطلبات المتزايدة بسرعة للحوسبة عالية الأداء (HPC) والبنية التحتية للذكاء الاصطناعي.
كشفت الشركة أيضاً عن V10 BV-NAND، وهي بنية مدعومة بتقنية ربط الرقائق الجديدة، وذلك للمرة الأولى في الصناعة.
رؤية سامسونج لجيل الذاكرة ثلاثية الأبعاد الجديد
في FMS 2026، كشفت سامسونج عن أول نماذج مفاهيمية لـ zHBM وzNAND-O في الصناعة، مقدمة رؤيتها للجيل التالي من معماريات الذاكرة ثلاثية الأبعاد.
صُممت zHBM للحوسبة المتقدمة للذكاء الاصطناعي، وتقدم بنية ذاكرة جديدة تقوم بتكديس HBM عمودياً فوق مسرعات الذكاء الاصطناعي مباشرةً، متجاوزة التصميمات التقليدية التي يتم فيها وضع HBM جنباً إلى جنب مع المعالج.
عبر تقليل المسافة التي تنتقلها البيانات بين معالج الذكاء الاصطناعي والذاكرة، صُممت zHBM لتقديم نطاق ترددي أعلى وكفاءة طاقة محسنة، مما يتيح معالجة البيانات فائقة السرعة المطلوبة لتدريب واستدلال الذكاء الاصطناعي على نطاق واسع.
من المتوقع أن يوفر نظام الواجهة من الجيل التالي الذي يدمج zHBM أداءً يبلغ حوالي ثمانية أضعاف أداء HBM5. ومع تقنية ربط الرقائق من الجيل التالي، يمكن لـ zHBM تحقيق كثافة ذاكرة تزيد عن 10 أضعاف HBM5 مع تعزيز كفاءة الطاقة بمقدار ثلاثة أضعاف وتقليل المقاومة الحرارية بأكثر من النصف، مما يزيد من استقرار وكفاءة طاقة الأنظمة عالية السعة وعالية النطاق الترددي.
تدعم zHBM أيضاً التصميمات الخاصة بالعملاء، مما يتيح دمج الملكية الفكرية المخصصة في الطبقة البينية بين الذاكرة ومسرع الذكاء الاصطناعي لتوسيع سعة الذاكرة وتعزيز أداء المسرع.
بناءً على التعاون الوثيق مع العملاء، تخطط سامسونج لمواصلة تحسين دمج معالجات وذاكرة الذكاء الاصطناعي من خلال zHBM لزيادة أداء أنظمة الذكاء الاصطناعي إلى أقصى حد.
كما قدمت الشركة zNAND-O، وهو حل NAND عالي الأداء من الجيل التالي مبني على تقنية V-NAND الخاصة بها وقيد التطوير في إصدارات بأربع وثماني طبقات. من خلال الجمع بين كفاءة المساحة العالية، وأداء الإدخال/الإخراج المحسن، وزمن الاستجابة المنخفض، تم تحسين zNAND-O لبيئات الذكاء الاصطناعي الطرفية التي تدعم تطبيقات الذكاء الاصطناعي المكثفة للبيانات في الوقت الفعلي.
V10 BV-NAND الرائدة في الصناعة
كشفت سامسونج عن V10 BV-NAND، التي تتميز ببنية V-NAND المرتبطة الجديدة. يأتي الإعلان بعد 13 عاماً من تقديم الشركة لأول تقنية V-NAND في الصناعة في قمة ذاكرة الفلاش لعام 2013، مما يمثل إنجازاً آخر في ابتكارات NAND للشركة.
مع أكثر من 400 طبقة، توفر V10 BV-NAND أداءً وكفاءة طاقة أعلى مع زيادة كبيرة في كثافة التخزين. من خلال تطبيق تقنية ربط الرقائق لتكديس خلايا الذاكرة، زادت سامسونج كثافة الذاكرة بحوالي 58% مقارنة بالجيل السابق (V9).
إلى جانب زيادة عدد الطبقات، تعمل V10 BV-NAND أيضاً على تحسين أداء القراءة والكتابة والإدخال/الإخراج مقارنة بالجيل السابق، مما يدعم NAND عالي الأداء وعالي السعة لأنظمة وتطبيقات الذكاء الاصطناعي المستقبلية.
خارطة طريق ذاكرة الذكاء الاصطناعي من HBM إلى PIM وحلول التخزين للمؤسسات
قدمت سامسونج أيضاً أحدث حافظتها من ذاكرة وتخزين الذكاء الاصطناعي، بما في ذلك HBM4E وHBM5 وLPDDR5X-PIM وPM1763، مسلطة الضوء على خارطة طريقها للحوسبة والبنية التحتية لمراكز البيانات من الجيل التالي للذكاء الاصطناعي.
بعد الإنتاج الضخم الأول في الصناعة لـ HBM4 باستخدام تقنيات 1c DRAM و4 نانومتر، كانت سامسونج أول من بدأ شحن عينات HBM4E للعملاء العالميين، مما يعزز ريادتها في الجيل التالي من HBM.
إلى جانب عينات HBM4E ونموذج HBM5، عرضت الشركة LPDDR5X-PIM، وهي أول ذاكرة LPDDR في الصناعة مزودة بتقنية المعالجة في الذاكرة. تم تصميم هذا الحل الجديد لإجراء معالجة البيانات داخل الذاكرة نفسها لتحسين كفاءة حركة البيانات والطاقة.
ضم المعرض أيضاً أحدث حلول تخزين المؤسسات من سامسونج، بما في ذلك PM1763 وBM1773، المصممة لتلبية متطلبات التخزين المتزايدة لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.
حلول متكاملة وشاملة
بصفتها الشركة المصنعة الوحيدة المتكاملة للأجهزة (IDM) في العالم التي تتمتع بقدرات رائدة في الصناعة تشمل الذاكرة والتصنيع والتعبئة المتقدمة، قدمت سامسونج استراتيجيتها الشاملة للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي من الجيل التالي، والتي توفر للعملاء حلولاً متكاملة وشاملة تدعم الاحتياجات المتطورة لعصر الذكاء الاصطناعي.
من تصميم المنتج إلى الإنتاج الضخم، تقدم سامسونج خدمات تطوير وتصنيع متكاملة تساعد في تقصير دورات التطوير مع تحسين الأداء وكفاءة الطاقة، مما يمكن العملاء من طرح حلول أشباه الموصلات المتميزة للذكاء الاصطناعي في السوق بسرعة.
تؤكد هذه الابتكارات التزام سامسونج الراسخ بدفع حدود تكنولوجيا الذاكرة، ورسم ملامح مستقبل واعد للذكاء الاصطناعي.